KNX: Unterschied zwischen den Versionen
Aus /dev/tal
Thoto (Diskussion | Beiträge) (Die Seite wurde neu angelegt: „{{ProjektInfoBox |name = KanNiX |status = experimental |image = |description = KNX implementierung |author = mat, endres, thoto |userna…“) |
Thoto (Diskussion | Beiträge) |
||
| Zeile 17: | Zeile 17: | ||
=== Bauteilbeschreibung MOSFET === | === Bauteilbeschreibung MOSFET === | ||
| − | + | * D1 und D2 sorgen dafür, dass die Spannung am Bus und die Versorgungspannung immer positiv sind. | |
| − | + | * R6 und R7 sind zur Strommessung während der Simulation gedacht. | |
| − | + | * D3 sorgt für ein Potential von V_bus-3.9V am Gate von M1. Dadurch wird etwa die U_th am FET-Gate eingestellt und ein (sehr geringer) initialer Strom in das Gate verhindert und somit das Schaltverhalten verbessert. Ohne D3 käme es zu einem Unterschwinger von V_bus beim Durchsteuern von M1. | |
| − | + | * D4 sorgt für einen Spannungsabfall von 10V - U_R2 am Gate des FET. Da dieser hat U_th \in [-2,-4] V hat entstehen so im Mittel 6.3V Spannungsabfall an V_bus (U_D1 und U_D2 beachten!). | |
| − | + | * R2 korrigiert den Spannungsabfall auf die gewünschten V_knx - 6V. ... entfernt wegen zu geringem Strom (sic) in Gate beim Aufladen der Gatekapazität! | |
| − | + | * R3 begrenzt den Strom durch Q1 wie gewohnt, Q1 sorgt für den gewünschten Spannungsabfall, wenn dieser durchsteuert. Ohne Durchsteuern von Q1 liegt am Knoten östlich R2 \phi > U_th an, da kein Strom durch D4 fließt. | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | * R1 ist eine Sicherung. Praktisch zum Strom messen. | |
| − | + | * R4 stellt das Basispotential von Q1 ein, R5 begrenzt den Basisstrom. C1 entkoppelt Q1, sodass eine kontinuierliches Spannung nur ein temporäres Durchsteuern von Q1 erzeugen kann. | |
| − | + | ||
| − | + | ||
Version vom 23. Juni 2018, 03:54 Uhr
| KanNiX Release status: experimental [box doku] | |
|---|---|
| Description | KNX implementierung |
| Author(s) | mat, endres, thoto |
| Platform | diskrete Bauelemente und Mikrocontroller |
| License | GPLv3 |
| Download | https://devtal.de/knx/git/ |
STUB!
Bauteilbeschreibung MOSFET
- D1 und D2 sorgen dafür, dass die Spannung am Bus und die Versorgungspannung immer positiv sind.
- R6 und R7 sind zur Strommessung während der Simulation gedacht.
- D3 sorgt für ein Potential von V_bus-3.9V am Gate von M1. Dadurch wird etwa die U_th am FET-Gate eingestellt und ein (sehr geringer) initialer Strom in das Gate verhindert und somit das Schaltverhalten verbessert. Ohne D3 käme es zu einem Unterschwinger von V_bus beim Durchsteuern von M1.
- D4 sorgt für einen Spannungsabfall von 10V - U_R2 am Gate des FET. Da dieser hat U_th \in [-2,-4] V hat entstehen so im Mittel 6.3V Spannungsabfall an V_bus (U_D1 und U_D2 beachten!).
- R2 korrigiert den Spannungsabfall auf die gewünschten V_knx - 6V. ... entfernt wegen zu geringem Strom (sic) in Gate beim Aufladen der Gatekapazität!
- R3 begrenzt den Strom durch Q1 wie gewohnt, Q1 sorgt für den gewünschten Spannungsabfall, wenn dieser durchsteuert. Ohne Durchsteuern von Q1 liegt am Knoten östlich R2 \phi > U_th an, da kein Strom durch D4 fließt.
- R1 ist eine Sicherung. Praktisch zum Strom messen.
- R4 stellt das Basispotential von Q1 ein, R5 begrenzt den Basisstrom. C1 entkoppelt Q1, sodass eine kontinuierliches Spannung nur ein temporäres Durchsteuern von Q1 erzeugen kann.
